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                激光分子束外延镀膜系统
                The laser MBE is very suitable for the atomic layer controlled growth of oxides / nitrides, and also suits for a simple and inexpensive apparatus comparing with conventional MBE.

                PLD MBE激光分子束外ξ 延镀膜系统的主体是一个UHV激光分子束卐外延装置。使用○准分子激光进行基底加热;脉☆冲激光做为幅照源。使用两个组合的掩膜和一︾个扫描式的反射高能电子ζ衍射(RHEED)设备,系统能同时制备很多样品(250/10mm2)。每个样品都是原子¤级的控制,可以设置▆不同的生长条件。在UHV中使用激光辐照的组合▃的掩模和靶材。
                  这个组合膜沒等那丹州城城主說話沉积的概念,是由于使用分离的基底↙、小区域的掩模和每个样品不同的生长参数导致的沉积条件的系统变化。最显著的ζ 贡献就是可以快速地筛选生长条件。

                 

                ·精准层蔽控【制原子

                ·层外延膜结构或形态

                ·均閃爍到小唯身旁匀或梯度的快速◇

                ·振荡信号需依成膜¤条件和成膜品质

                ·专业LabView提供全自动制程数你字控制

                ·9项日卐本专利、3个国 不知道际专利

                 

                ·激光加热:            温度 >1000)

                ·高压可操作◥:          ~133Pa

                ·6种靶材的公转和自转

                ·镀膜腔真空⊙度:        ~5e-9Torr

                ·Load-Lock腔:         ~5e-7 Torr 可放置两个样品以及四个靶材

                ·全自动数字控制

                 
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