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                分子束外延残余气体分析四极质谱仪

                A residual gas system configured for molecular beam epitaxy applications.

                Measures residual gases and provides for contamination and leak detection in MBE systems.

                HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏成子昂叹了口气探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。

                该分子束外延特定分析质谱仪由◇兼容性材料组成↑,并能在分子束外延环境中长期使用。

                 

                ·钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命

                ·抗污染离子源护罩

                ·双法拉第/ channelplate电子倍增器

                 

                ·质量☆数范围:   1300 amu

                ·扫描速度:      100amu/s

                ·最小扫描师父这个心结步阶:0.01amu

                ·灵敏度:         0.1 ppm1ppm

                ·稳定性:         24h以上,峰高变化小于±0.5%

                ·最小检测分压:2 x 10-13 mbar

                ·最大工作压力:1 x 10-4 mbar

                 
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